На днях состоялась встреча руководства компании Micron с аналитиками. Вопросов поднималось много, и часть из них касалась темы перехода на новые варианты энергонезависимой памяти. По сообщению Micron, компания приступила к массовому производству 32-слойной памяти типа 3D NAND. Это 256-Гбит MLC и 384-Гбит TLC. Потребительская продукция на базе этих микросхем начнёт появляться этим летом. Данная память позволит выпускать SSD ёмкостью до 3,5 Тбайт в формфакторе M.2 и SSD ёмкостью до 10 Тбайт в формфакторе 2,5 дюйма. В качестве контроллеров решений могут быть выбраны разработки компаний PMC Sierra и Silicon Motion.
Надо сказать, что себестоимость первого поколения памяти 3D NAND компании Micron несколько выше себестоимости памяти 3D V-NAND компании Samsung. Это означает, в частности, что компания Micron может ещё долго работать себе в убыток. Компании Samsung для выхода на прибыльность производства памяти 3D V-NAND потребовалось примерно полтора года. Разница в себестоимости объясняется тем, что Micron использует флэш-ячейку с плавающим затвором, а компания Samsung — более передовую и более компактную ячейку с ловушкой заряда.
Компания Micron рассчитывает начать внедрять производство памяти с ловушкой заряда в середине текущего года. Это будет второе поколение памяти 3D NAND Micron. Массовый выпуск улучшенной памяти ожидается к концу 2016 года. В компании Micron рассчитывают, что стоимость хранения одного гигабайта данных на втором поколении памяти 3D NAND окажется на 30% ниже. В свою очередь, стоимость хранения гигабайта данных в памяти 3D NAND первого поколения на 25% ниже по сравнению с 16-нм планарной памятью NAND-флэш. Но в последнем случае надо учитывать, что уровень брака пока довольно большой и со себестоимостью не всё так просто.
Отдельно компания сообщила, что она «на пути» к началу производства памяти типа 3D XPoint. Вопреки надеждам, похоже, продукция на памяти XPoint в текущем году так и не выйдет.
