Компания Samsung Electronics начинает массовое производство чипов памяти Universal Flash Storage 2.0 (UFS) объёмом 256 Гбайт, которые предназначены для мобильных устройств верхнего ценового сегмента. Новые чипы, построенные по технологии 3D V-NAND, способны предложить скорость чтения до 850 Мбайт/с и скорость записи 260 Мбайт/с, тем самым значительно превосходя карты памяти microSD и SSD-накопители с интерфейсом SATA 3.0.
Отметим, что чипы памяти UFS 2.0 объёмом 128 Гбайт были представлены Samsung в феврале прошлого года, и компания использовала их в смартфонах Galaxy S6. Но в этом году, по всей видимости, корейский производитель не успел доработать чипы и не стал выпускать версию флагманского Galaxy S7 с 256 Гбайт встроенной памяти.
В Samsung заявили, что новые чипы объёмом 256 Гбайт появятся во флагманских смартфонах следующего поколения. Также сообщается, что корейская компания выпустит устройства с данными чипами памяти уже в этом году, возможно даже, что это будет следующий представитель семейства смартфонов Galaxy Note.
Производитель отмечает, что необходимость в столь ёмких чипах быстрой памяти возрастает с увеличением популярности мобильных устройств с дисплеями высокого разрешения. Также отмечается, что с появлением мобильных устройств c памятью UFS 2.0 и интерфейсом USB 3.0 значительно возрастёт скорость передачи данных между устройствами.
