Нидерландский производитель литографического оборудования для выпуска полупроводников — компания ASML — рассказал об успехах по выпуску сканеров для диапазона EUV (13,5 нм). Отметим, рассказ прозвучал в рамках квартального отчёта, кстати, позитивного. Компания ASML увеличила выручку как за квартал, так и за год. Всего в 2015 году компания выручила 6,28 млрд. евро. Итак, в 2015 году ASML отгрузила два сканера EUV-диапазона — это последние модели NXE: 3350B. Ещё один сканер находится в процессе поставки и в 2016 году будет отгружено ещё 6-7 установок. Имена заказчиков не раскрываются, но нетрудно представить, что среди них есть компании Intel и TSMC. Так, ранее стало известно, что неназванный американский производитель заказал у ASML 15 EUV-сканеров. Что касается компании TSMC, то она не скрывает, что располагает сканерами для EUV-проекции и размещает на них дополнительные заказы.
Согласно сообщению ASML, опытное EUV-производство, развёрнутое на заводах клиентов, доказало возможность работы новых сканеров с производительностью 1000 пластин в сутки. Целью на 2016 год стало увеличение производительности до 1250 пластин в сутки. Звучит неплохо, вот только непрерывный запуск оборудования в тестовом режиме на четыре недели показал, что скорость производства в таком случае снижается до 535 пластин в сутки. Для коммерчески выгодного производства, поясним, непрерывная скорость работы должна составлять не менее 2000 пластин в сутки.
Сколько у компании ASML времени на совершенствование оборудования? Техпроцессы 10 нм 7 нм, по-видимому, обойдутся без использования EUV-сканеров. Производство с нормами 5 нм компания TSMC, например, хотела бы начать с использованием нового оборудования. Ориентировочно это должно произойти в 2019 году. Теоретически к этому времени EUV-сканеры ASML могут добраться до отметки 2000 пластин в сутки, но практика показывает, что они не выдерживают постоянных длительных нагрузок.
Отдельно надо сказать, что ASML сообщает о планах по массовым поставкам во втором квартале обычных сканеров для выпуска 10-нм полупроводников. Также отмечен интерес клиентов к выпуску энергонезависимой памяти типа «X-Point». Остаётся только догадываться, речь идёт о компаниях Intel и Micron или кто-то ещё задумал выпускать память с использованием многослойных перекрёстных структур.
